Концентрационные профили основных и эффективного времени жизни неосновных носителей заряда в геттерированном GaAs
Андриевский В.Ф.1, Гореленок А.Т.1, Загорельская Н.А.1, Каманин А.В.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт электроники НАНБ, Минск
Email: kamanin@ffm.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.
Приведены первые результаты по распределению концентрации основных и эффективного времени жизни неосновных носителей заряда в толстых (1.6 mm) пластинах GaAs после поверхностного геттерирования. Было установлено, что как одностороннее, так и двухстороннее покрытие пластин GaAs пленками Y и последующая термообработка при температурах 700-800oC позволяет получать высокоомный материал с однородным распределением как концентрации электронов, так и эффективного времени жизни дырок по толщине пластин.
- Гореленок А.Т., Крюков В.Л., Фурманов Г.П. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 13. С. 60
- Shmidt N., Gorelenok A., Emtsev V. et al. // Solid State Phenomena. 1999. V. 69--70. P. 279
- Власенко Л.С., Гореленок А.Т., Емцев В.В. и др. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 2. С. 184
- Власенко Л.С., Гореленок А.Т., Емцев В.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 1. С. 19
- Markov A.V., Polyakov A.Y., Smirnov N.B. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2000. V. 439. P. 651
- Reichman J. // Appl. Phys. Lett. 1980. V. 36. N 7. P. 574
- Андриевский В.Ф. // Теория, методы и средства измерений и контроля параметров магнитных, полупроводниковых и диэлектрических материалов. Сборник. Новочеркасск, 2000. Ч. 4. С. 24
- Андриевский В.Ф., Якименко Е.В., Муравицкий О.К. А. с. 1611075 СССР, G 01 NL 27/22. Заявлено 23.03.89; Опубл. 1.08.90
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов / Пер. с англ. М.: Мир, 1984. Т. 1
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук