Вышедшие номера
Структурная трансформация в пленках C60 под воздействием гелиевой плазмы тлеющего разряда
Васин А.В.1, Матвеева Л.А.1, Юхимчук В.А.1, Шпилевский Э.М.1
1Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Украина Белорусский государственный университет Минск, Республика Беларусь
Email: vasin@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 16 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) исследовалась модификация структуры пленок C60 под воздействием гелиевой плазмы тлеющего разряда постоянного тока. Выявлены особенности изменения колебательных спектров в пленках C60 в зависимости от времени обработки. Установлено, что в результате бомбардировки ионами гелия происходит разрушение молекул фуллеренов и образование аморфной углеродной структуры. Проведена количественная оценка коэффициента распыления.