Лавинное умножение электронов и дырок в теллуриде кадмия
Демич Н.В.1, Махний В.П.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Украина
Email: oe-dpt@chnu.cv.ua.
Поступила в редакцию: 12 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.
Экспериментально показано, что процесс ударной ионизации в теллуриде кадмия стимулируется дырками. Отношение коэффициентов ударной ионизации дырок alphap и электронов alphan составляет alphap/alphan~30-40.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов / Пер. с англ. под ред. Р.А. Суриса. М.: Мир, 1984. Т. 1, 2. 456 с. и 352 с
- McInture R.I. // IEEE Trans. Electron Dev. 1996. ED-13. P. 164
- Logan R.A., Sze S.M. // J. Phys. Soc. Jpn. Suppl. 1966. V. 21. P. 434
- Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1974. 280 с
- Махний В.П. // Физ. электроника. 1987. Т. 35. С. 23
- Баранов А.Н., Данилова Т.Н., Именков А.Н. и др. // ФТП. 1983. Т. 4. С. 753
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
