Модуляция радиочастотным полем двух поляризаций отражения света от полупроводниковых гетероструктур
Волков А.О.1,2, Рябушкин О.А.1,2, Поволоцкий М.С.1,2
1Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинское отделение)
2Dipartimento di Ingegneria Elettronica, Universita` di Roma "Tor Vergata", Roma, Italia
Email: roa228@ire216.msk.su
Поступила в редакцию: 16 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.
Предложена радиочастотно-оптическая спектроскопия полупроводниковых структур, использующая модуляцию коэффициента отражения света при воздействии на образец высокочастотного поля двух конфигураций. Зависимость спектров модуляционного отражения света вблизи края фундаментального поглощения полупроводника от поляризации высокочастотного поля позволяет селективно исследовать разные слои структуры. Предложена модель, объясняющая особенности спектров отражения света, модулированного продольным и поперечным высокочастотными электрическими полями в слоях гетероструктуры GaAs/AlGaAs.
- Aspnes D.E. Handbook on Semiconductors. North-Holand Publishing Company, 1980. V. 2
- Sydor M., Badakhshan A., Engholm J.R. et al. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N 9. C. 948--950
- Yin X., Pollak F.H. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. N 18. P. 2305--2307
- Рябушкин О.А., Сабликов В.А. // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 67. В. 3. С. 217--221
- Ryabushkin O.A., Sablikov V.A. // Proceeding of the SPIE XVI International Conference on Coherent and Nonlinear Optics ICONO'98. 1999. V. 3732. P. 137--146
- Рябушкин О.А., Сабликов В.А., Поволоцкий М.С. и др. // Микросистемная техника. 2001. N 2. С. 20--22
- Ryabushkin O.A. // Proceeding of Nanostructures: Physics and Technology. St. Petersburg, 1997. C. 270--273
- Ефанов А.В. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 11. С. 2077--2080
- Tanguy Ch. // Appl. Phys. 1996. V. 80. C. 4626--4631
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук