Вышедшие номера
Эффект усиления фототока в гетероструктуре In2O3--GaSe
Драпак С.И.1, Ковалюк З.Д.1
1Черновицкое отделение института проблем материаловедения НАН Украины
Email: chimsp@unicom.cv.ua
Поступила в редакцию: 16 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Описан экспериментально обнаруженный эффект возникновения усиления фототока в гетероструктуре In2O3-GaSe с локализацией плоскости барьера перпендикулярно слоям базового полупроводника. При обратном смещении U=10 V величина коэффициента усиления достигала M~ 82, а абсолютное значение токовой чувствительности 30-32 A/W. На основе исследования вольт-амперных характеристик определен механизм токопереноса через диэлектрик, неизбежно возникающий на поверхности моноселенида галлия при изготовлении структур методом пульверизации. Сделано предположение об изменении механизма проводимости при переносе плоскости барьера из параллельной в перпендикулярную к слоям GaSe.