Повышение магниточувствительности планарных симисторов путем радиационной модификации структуры
Новиков С.Г.1, Бакланов С.Б.1, Гурин Н.Т.1, Воронцов С.И.1
1Ульяновский государственный университет
Email: nsg@sv.uven.ru
Поступила в редакцию: 10 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Для повышения магниточувствительности планарных симисторов предложен и исследован метод модификации поверхности структуры с помощью радиационного облучения alpha- и beta-частицами. Результаты исследования магниточувствительности образцов маломощных симисторных оптопар, выполненных на основе модифицированных таким образом симисторов, свидетельствуют о существенном (на порядок) повышении магниточувствительности.
- Chilingarov A., Sloan T. // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. A. 1997. V. 399. P. 3537
- Simonen E., Vanhellemont J., Dubuc J.P. at al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. P. 788--790
- Tomii Kazushi, Maeda Mitsuhide, Keno Takuji at al. // Trans. Inst. Elec. Eng. Jap. D. 1995. V. 115. P. 806--811
- Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы. М.: Радио и связь, 1983. С. 104
- Бакланов С.Б., Гурин Н.Т., Новиков С.Г. // Изв. вузов. Электроника. 1997. Т. 6. С. 49--59
- Бакланов С.Б., Гайтан В.В., Гурин Н.Т. и др. // Электрон. промышленность. 1992. Т. 1. С. 51
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук