Исследование воздействия ионов криптона с энергией 305 MeV на высокоориентированный пиролитический графит
Дидык А.Ю.1, Латышев С.В.1, Семина В.К.1, Степанов А.Э.1, Суворов А.Л.1, Федотов А.С.1, Чеблуков Ю.Н.1
1ГНЦ РФ Институт экспериментальной и теоретической физики, Москва
Поступила в редакцию: 20 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Представлены результаты исследования с помощью сканирующего тунельного микроскопа поверхности высокоориентированного пиролитического графита (ВОПГ), облученного ионами криптона с энергией 305 MeV. Эти исследования показали, что неупругие потери энергии ионов криптона не оказывают существенного влияния на распыление поверхности кристаллических зерен ВОПГ. Так же как и у металлов, наблюдается значительное распыление границ кристаллических зерен. Отмечается, что неоднородность распыления поликристаллических проводников необходимо учитывать при интерпретации экспериментальных результатов по распылению поликристаллов быстрыми тяжелыми ионами в неупругой области потерь энергии. Полученные результаты найдут практическое применение в технике имплантации глубоко лежащих слоев.
- Cheblukov Yu.N., Koshkarev D.G., Peuto A.R. et al. // Part. Accel. 1992. V. 37--38. P. 351-353
- Акапьев Г.И., Балабаев А.Н., Васильев Н.А. и др. // ЖТФ. 1998. Т. 68. В. 1. С. 134--136
- Mieskes H.D., Assmann W., Brodale M. et al. // NIM B. 1998. V. 146. P. 162
- Дидык А.Ю., Семина В.К., Халил А. и др. // ПЖТФ. 2000 Т. 26. В. 2. С. 1--7
- Oden P.I., Thundat T., Nagahara L.A. et al. // Surf. Sci. Letters. 1991. V. 254. P. 454--459
- Куликов Д.В., Суворов А.Л., Сурис Р.А. и др. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 14. С. 89--93
- Biro L.P., Gyulai J., Havancsak K. // Phis. Rev. B. 1995. V. 52. N 3. P. 2047
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук