"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Гетеропереходы n-SnSSe--p-InSe
Катеринчук В.Н.1, Ковалюк З.Д.1, Нетяга В.В.1, Беца Т.В.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 15 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Исследованы фотоэлектрические свойства гетероперехода (ГП) n-SnSSe-p-InSe, особенностью которого есть использование в качестве материала широкозонного "окна" твердых растворов SnS2-xSex (x=0.5). Такие соединения позволяют изменять коротковолновую границу полосы фоточувствительности ГП, которая для данного ГП лежит в пределах 0.8-1.0 mum. Показано, что использование слоистых кристаллов и метода посадки на оптический контакт при изготовлении ГП дает возможность реализации качественных p-n-переходов.
  1. Бакуменко В.Л., Чишко В.Ф. // ФТП. 1977. Т. 11. С. 2000
  2. Goodman A.M. // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. P. 329
  3. Гольдберг Ю.А., Иванова О.В., Львова Т.В., Царенков Б.В. // ФТП. 1984. Т. 18. С. 1472
  4. Манассон В.А., Малик А.И. // ПТЭ. 1981. N 5. С. 190
  5. Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. // ФТП. 1991. Т. 25. С. 954
  6. Perluzzo G., Jandl S., Aubin M., Girard P.E. // Sol. State Commun., 1978. V. 27. P. 1437

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.