Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетеропереходы n-SnSSe--p-InSe
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 15 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Исследованы фотоэлектрические свойства гетероперехода (ГП) n-SnSSe-p-InSe, особенностью которого есть использование в качестве материала широкозонного "окна" твердых растворов SnS2-xSex (x=0.5). Такие соединения позволяют изменять коротковолновую границу полосы фоточувствительности ГП, которая для данного ГП лежит в пределах 0.8-1.0 mum. Показано, что использование слоистых кристаллов и метода посадки на оптический контакт при изготовлении ГП дает возможность реализации качественных p-n-переходов.
- Бакуменко В.Л., Чишко В.Ф. // ФТП. 1977. Т. 11. С. 2000
- Goodman A.M. // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. P. 329
- Гольдберг Ю.А., Иванова О.В., Львова Т.В., Царенков Б.В. // ФТП. 1984. Т. 18. С. 1472
- Манассон В.А., Малик А.И. // ПТЭ. 1981. N 5. С. 190
- Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. // ФТП. 1991. Т. 25. С. 954
- Perluzzo G., Jandl S., Aubin M., Girard P.E. // Sol. State Commun., 1978. V. 27. P. 1437
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
