"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние ионно-лучевого геттерирования на параметры GaAs-транзисторных структур при нейтронном облучении
Оболенский С.В.1, Скупов В.Д.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 28 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Обнаружено, что негативное влияние нейтронного облучения на параметры полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе эпитаксиального арсенида галлия существенно ослабляется, если предварительно в структуры со стороны подложки имплантировались ионы аргона. Эффект объясняется дальнодействующим геттерированием при ионном облучении примесей и дефектов в активных областях транзисторов, с которыми связано возникновение глубоких уровней под действием нейтронов.
  1. Зулиг Р. // Арсенид галлия в микроэлектронике. М.: Мир, 1988. С. 500--547
  2. Оболенский С.В., Скупов В.Д., Фефелов А.Г. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 16. С. 50--53
  3. Demarina N.V., Obolensky S.V. // Microelectronics Reliability. 1999. Т. 39. С. 1247--1263
  4. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с
  5. Новиков В.А., Пешев В.В. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 4. С. 411--416
  6. Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 5. С. 503--509

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.