О механизме образования и зарядовых состояниях собственных атомных дефектов в пленках теллурида свинца
Рувинский М.А.1, Фреик Д.М.1, Рувинский Б.М.1, Прокопив В.В.1
1Физико-химический институт при Прикарпатском университете им. В. Стефаника, Ивано-Франковск
Поступила в редакцию: 11 января 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.
Предложена кристаллохимическая модель парофазной эпитаксии пленок теллурида свинца, предполагающая одновременное образование как однозарядных, так и двухзарядных дефектов Френкеля в катионной подрешетке. Результаты численного расчета находятся в хорошем согласии с имеющимися экспериментальными данными.
- Абрикосов Н.Х., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI. М.: Наука, 1975. 196 с
- Зломанов В.П. P--T--X диаграммы двухкомпонентных систем. М.: МГУ, 1980. 132 с
- Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М.: Наука, 1968. 384 с
- Parada N.J., Pratt G.W. // Phys. Rev. Lett. 1969. V. 22. P. 180--182
- Schenk M., Berger H., Kimakov A. // Cryst. Res. and Technol. 1988. V. 23. N 1. P. 77--84
- Заячук Д.М., Шендеровський В.А. // УФЖ. 1991. Т. 36. N 11. С. 1692--1713
- Freik D.M., Prokopiv V.V., Nych A.V. et al. // Mater. Science and Engineering. 1997. V. B48. P. 226--228
- Lopez-Otero A. // Appl. Phys. Lett. 1975. V. 26. N 8. P. 470--472
- Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969. 654 с
- Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. М.: Мир, 1976. 432 с
- Гаськов А.М., Зломанов В.П., Новоселова А.В. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1979. Т. 15. N 8. С. 1476--1478
- Kroger F.A. // J. Phys. Chem. Sol. 1965. V. 26. P. 1717--1724
- Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наук. думка, 1969. 188 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
