Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние освещения на электрические и фотоэлектрические параметры mu c-Si : H, слаболегированного бором
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
2Philipps-Universitat Marburg, Marburg, Germany
2Philipps-Universitat Marburg, Marburg, Germany
Поступила в редакцию: 15 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Обнаружено увеличение проводимости и фотопроводимости mu c-Si : H, слаболегированного бором, после его освещения в полосе собственного поглощения. Показано, что наблюдаемые изменения определяются окружающей образец средой и могут быть связаны с фотозаряжением молекул кислорода, адсорбированных пленкой mu c-Si: H.
- Williams M.J., Wang C., Lucovsky G. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1991. V. 219. P. 389--394
- Fluckiger R., Meier J., Goetz M. et al. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. N 2. P. 712--716
- Torres P., Meier J., Fluckiger R. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. N 12. P. 1373--1376
- Bruggemann M., Heirzenberger A., Reining P. et al. // J. Non-Cryst. Solids. 1998. V. 227--230. P. 982--985
- Ruff D., Mell H., Toth L. et al. // J. Non-Cryst. Solids. 1998. V. 227--230. P. 1011--1014
- Козлов С.Н., Кузнецов С.Н. // ФТП. 1978. Т. 12. В. 9. С. 1680--1685
- Козлов С.Н., Кузнецов С.Н. // Изв. вузов. Физика. 1981. В. 1. С. 92--96
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
