"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние освещения на электрические и фотоэлектрические параметры mu c-Si : H, слаболегированного бором
Казанский А.Г.1,2, Козлов С.Н.1,2, Мелл Х.1,2, Форш П.А.1,2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Philipps-Universitat Marburg, Marburg, Germany
Поступила в редакцию: 15 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Обнаружено увеличение проводимости и фотопроводимости mu c-Si : H, слаболегированного бором, после его освещения в полосе собственного поглощения. Показано, что наблюдаемые изменения определяются окружающей образец средой и могут быть связаны с фотозаряжением молекул кислорода, адсорбированных пленкой mu c-Si: H.
  1. Williams M.J., Wang C., Lucovsky G. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1991. V. 219. P. 389--394
  2. Fluckiger R., Meier J., Goetz M. et al. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. N 2. P. 712--716
  3. Torres P., Meier J., Fluckiger R. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. N 12. P. 1373--1376
  4. Bruggemann M., Heirzenberger A., Reining P. et al. // J. Non-Cryst. Solids. 1998. V. 227--230. P. 982--985
  5. Ruff D., Mell H., Toth L. et al. // J. Non-Cryst. Solids. 1998. V. 227--230. P. 1011--1014
  6. Козлов С.Н., Кузнецов С.Н. // ФТП. 1978. Т. 12. В. 9. С. 1680--1685
  7. Козлов С.Н., Кузнецов С.Н. // Изв. вузов. Физика. 1981. В. 1. С. 92--96

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.