"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Оптическое поглощение в эпитаксиальных пленках Gd3Ga5O12, выращенных из раствора-расплава на основе Bi2O3--B2O3--CaO
Рандошкин В.В.1, Васильева Н.В.1, Плотниченко В.Г.1, Салецкий А.М.1, Сташун К.В.1, Сысоев Н.Н.1
1Совместная хозрасчетная лаборатория "Магнитооптоэлектроника" Института общей физики РАН при Мордовском государственном университете им. Н.П. Огарева Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики РАН Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Поступила в редакцию: 8 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Сообщается о монокристаллических пленках граната номинального состава Gd3Ga5O12, впервые выращенных методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава на основе Bi2O3-B2O3-CaO, в которых отсутствуют полосы поглощения в видимой области спектра.
  1. Арсеньев П.А., Багдасаров X.С., Фенин В.В. Выращивание монокристаллических пленок для квантовой электроники. М.: МЭИ, 1981. 68 с
  2. Рандошкин В.В., Беловолов А.М., Беловолов М.И., Васильева Н.В., Дианов Е.М., Сташун К.В., Тимошечкин М.И. // Квантовая электроника. 1988. Т. 25. В. 3. С. 233--235
  3. Ferrand B., Chambaz B., Couchaud M. // Optical Materials. 1999. V. 11. P. 101--114
  4. Рандошкин В.В., Васильева Н.В., Салецкий А.М., Сташун К.В., Сысоев Н.Н., Галкин А.М., Кудряшов Ю.И. // Физическая мысль России. 2000 (в печати)
  5. Рандошкин В.В., Васильева Н.В., Салецкий А.М., Сысоев Н.Н. // Письма в ЖТФ. 2000 (в печати)
  6. Рандошкин В.В., Червоненкис А.Я. Прикладная магнитооптика. М.: Энергоатомиздат, 1990. С. 50

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.