Разработана технология изготовления и исследованы характеристики GaAs полевого транзистора с затвором Шоттки с эффективной длиной затвора 30 nm. Предельная частота усиления по мощности 150 GHz. Коэффициент шума на частотах 12-37 GHz сравним с транзисторами с двумерным электронным газом. Теоретически рассчитанное время пролета электронов под затвором менее 0.1 ps.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.