Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Полевой транзистор с 30-nm затвором
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 29 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Разработана технология изготовления и исследованы характеристики GaAs полевого транзистора с затвором Шоттки с эффективной длиной затвора 30 nm. Предельная частота усиления по мощности 150 GHz. Коэффициент шума на частотах 12-37 GHz сравним с транзисторами с двумерным электронным газом. Теоретически рассчитанное время пролета электронов под затвором менее 0.1 ps.
- Gill D.M., Cane B.C., Svensson S.P. et al. // IEEE Trans. 1996. ED-17. N 4. P. 328--330
- Kohn E. // Electronics Letters. 1975. V. 11. N 8. P. 160
- Cheng C.L., Coldren L.A., Miller B.I. et al. // IEEE Trans. 1984. ED-31. N 6. P. 840--841
- Carnez B., Cappy A., Kaszinski A., Constant E., Salmer G. // J. Appl. Phys. 1980. V. 51 (1). P. 784
- Оболенский С.В., Павлов Г.П. // ФТП. 1995. Т. 29. N 3. С. 413--420
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
