"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Полевой транзистор с 30-nm затвором
Оболенский С.В.1, Китаев М.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 29 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Разработана технология изготовления и исследованы характеристики GaAs полевого транзистора с затвором Шоттки с эффективной длиной затвора 30 nm. Предельная частота усиления по мощности 150 GHz. Коэффициент шума на частотах 12-37 GHz сравним с транзисторами с двумерным электронным газом. Теоретически рассчитанное время пролета электронов под затвором менее 0.1 ps.
  1. Gill D.M., Cane B.C., Svensson S.P. et al. // IEEE Trans. 1996. ED-17. N 4. P. 328--330
  2. Kohn E. // Electronics Letters. 1975. V. 11. N 8. P. 160
  3. Cheng C.L., Coldren L.A., Miller B.I. et al. // IEEE Trans. 1984. ED-31. N 6. P. 840--841
  4. Carnez B., Cappy A., Kaszinski A., Constant E., Salmer G. // J. Appl. Phys. 1980. V. 51 (1). P. 784
  5. Оболенский С.В., Павлов Г.П. // ФТП. 1995. Т. 29. N 3. С. 413--420

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.