Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Ненапряженные эпитаксиальные пленки InxGa1-xAs, полученные на пористом GaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 9 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
На пористых подложках GaAs (100) методом жидкофазной эпитаксии выращены эпитаксиальные слои твердых растворов InGaAs. Сравнение составов и толщин этих эпитаксиальных слоев с составами и толщинами слоев, полученных в тех же условиях на обычных монолитных подложках GaAs, дает основание рассматривать кристаллизацию эпитаксиальных слоев на пористых подложках как рост свободных ненапряженных пленок.
- Мамутин В.В., Улин В.П. и др. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 1. С. 3--9
- People R., Bean J.C. // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. N 3. P. 322--324.; 1986. V. 49. N 4. P. 229
- Воронков В.В., Долгинов Л.М. и др. // Кристаллография. 1977. Т. 22. В. 2. С. 375--378
- Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин В.С. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1991. 175 с
- Matthews J.W., Blakeslee A.E. // J. Cryst. Growth. 1974. V. 27. P. 118--125
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
