"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Ненапряженные эпитаксиальные пленки InxGa1-xAs, полученные на пористом GaAs
Солдатенков Ф.Ю.1, Улин В.П.1, Яковенко А.А.1, Фёдорова О.М.1, Конников С.Г.1, Корольков В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

На пористых подложках GaAs (100) методом жидкофазной эпитаксии выращены эпитаксиальные слои твердых растворов InGaAs. Сравнение составов и толщин этих эпитаксиальных слоев с составами и толщинами слоев, полученных в тех же условиях на обычных монолитных подложках GaAs, дает основание рассматривать кристаллизацию эпитаксиальных слоев на пористых подложках как рост свободных ненапряженных пленок.
  1. Мамутин В.В., Улин В.П. и др. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 1. С. 3--9
  2. People R., Bean J.C. // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. N 3. P. 322--324.; 1986. V. 49. N 4. P. 229
  3. Воронков В.В., Долгинов Л.М. и др. // Кристаллография. 1977. Т. 22. В. 2. С. 375--378
  4. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин В.С. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1991. 175 с
  5. Matthews J.W., Blakeslee A.E. // J. Cryst. Growth. 1974. V. 27. P. 118--125

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.