Вышедшие номера
Влияние режимов формирования собственного оксида на свойства гетеропереходов оксид-p-InSe
Катеринчук В.Н.1, Ковалюк З.Д.1, Заслонкин А.В.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 18 января 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Формирование гетеропереходов оксид-p-InSe путем термического окисления кристаллической подложки p-InSe выполнено при разных температурно-временных режимах. Измерениями вольт-амперных характеристик (ВАХ) подтверждено их высокое качество. Установлены оптимальные технологические условия их изготовления.