"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние режимов формирования собственного оксида на свойства гетеропереходов оксид-p-InSe
Катеринчук В.Н.1, Ковалюк З.Д.1, Заслонкин А.В.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 18 января 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Формирование гетеропереходов оксид-p-InSe путем термического окисления кристаллической подложки p-InSe выполнено при разных температурно-временных режимах. Измерениями вольт-амперных характеристик (ВАХ) подтверждено их высокое качество. Установлены оптимальные технологические условия их изготовления.
  1. Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 12. С. 70--72
  2. Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 10. С. 1--3
  3. Chevy A., Kuhn A., Martin M.-S. // Cryst. Growth. 1977. V 38. N 1. P. 118--122
  4. Chevy A. // J. Appl. Phys. 1984. V. 56. N 4. P. 978--982
  5. Micocci G., Molendini M., Tepore A. // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. N 11. P. 6847--6853
  6. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн. 1 / Пер. с англ. М.: Мир, 1984. 456 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.