Подавление паразитного обратного управления по подложке при гидрогенизации ионно-легированных структур арсенида галлия
Кагадей В.А.1, Лиленко Ю.В.1, Широкова Л.С.1, Проскуровский Д.И.1
1ГНПП "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов", Томск Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
Поступила в редакцию: 7 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.
Установлено, что с помощью гидрогенизации ионно-легированных структур арсенида галлия можно подавить паразитное обратное управление по подложке. Приведены закономерности, характеризующие степень подавления обратного управления в зависимости от режимов гидрогенизации. Наблюдаемые закономерности, по-видимому, обусловлены процессами образования и распада комплексов водорода с глубокими центрами.
- Lee M., Forbes L. // IEEE Trans. Electron. Dev. 1990. V. ED-37. N 10. P. 2148--2157
- Goto N. et al. // IEEE Trans. Electron. Dev. 1990. V. ED-37. N 8. P. 1821--1827
- Allstot D.J., Canfield P.C. // IEEE. J. Solid State Circuits. 1990. V. 25. N 6. P. 1544--1549
- Chevallier J., Aucouturier M. // Ann. Rev. Mater. Sci. 1988. V. 18. P. 219--256
- Corbett J.W., Pearton S.J., Stavola M. // Defect control in semiconductors / Ed. K. Sumino. Elsevier Science Publishers B.V. North-Holland. 1990. P. 53--63
- Kagadei V.A., Proskurovsky D.I. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1998. V. 16 (4). P. 2556--2561
- Кагадей В.А., Проскуровский Д.И., Регер С.Д., Ромась Л.М. // Микроэлектроника. 1998. Т. 27. N 1. С. 10--15
- Prinz V.Ya., Rechkunov S.N., Samoylov V.A. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1997. V. 160. P. 487--490
- Принц В.Я. // Патент России N 2006984. Б.И. 30.01.1994
- Омельяновский Э.М., Пахомов Ф.В., Поляков Ф.Я. // Физика и техника полупроводников. 1987. Т. 21. N 5. C. 842--847
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук