Вышедшие номера
Подавление паразитного обратного управления по подложке при гидрогенизации ионно-легированных структур арсенида галлия
Кагадей В.А.1, Лиленко Ю.В.1, Широкова Л.С.1, Проскуровский Д.И.1
1ГНПП "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов", Томск Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
Поступила в редакцию: 7 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Установлено, что с помощью гидрогенизации ионно-легированных структур арсенида галлия можно подавить паразитное обратное управление по подложке. Приведены закономерности, характеризующие степень подавления обратного управления в зависимости от режимов гидрогенизации. Наблюдаемые закономерности, по-видимому, обусловлены процессами образования и распада комплексов водорода с глубокими центрами.