Распределение плотности двумерного электронного газа в полупроводниковой гетероструктуре с периодическим затворным электродом
Морозов Ю.А.1, Попов В.В.1
1Институт радиотехники и электроники РАН (Саратовский филиал)
Поступила в редакцию: 9 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.
Выполнены расчеты профиля распределения концентрации электронов в слое двумерного электронного газа в полупроводниковой гетероструктуре при одновременной подаче опорного и встречного смещений потенциала на соседние полоски периодического затворного электрода. Показано, что при параметрах структуры, используемых в экспериментах, профиль распределения концентрации значительно отличается как от прямоугольного, так и от синусоидального.
- Kotthaus J.P., Hansen W., Pohlmann H., Wassermeier M. // Surface Science. 1988. V. 196. P. 600--601
- Wilkinson R.J., Ager C.D., Duffield T. et al. // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. P. 6049--6061
- Davies J.H., Larkin I.A. // Phys. Rev. 1994. V. 49 B. P. 4800--4809
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук