Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Возникновение S-образных участков на вольт-амперных характеристиках диодов с p-n-переходом под действием СВЧ-излучения
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия 
Поступила в редакцию: 2 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.
Экспериментально исследовано воздействие СВЧ-излучения на вид низкочастотных вольт-амперных характеристик диодов с p-n-переходом. Показано, что при увеличении до определенной величины СВЧ-мощности на вольт-амперной характеристике диода появляется выраженный S-образный участок, который расширяется при дальнейшем увеличении СВЧ-сигнала и исчезает при снятии СВЧ-воздействия.
- Усанов Д.А., Коротин Б.Н., Орлов В.Е., Скрипаль А.В. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. В. 8. С. 50--51
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Коротин Б.Н., Орлов В.Е. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 7. С. 81--85
- Полупроводниковые приборы. Сверхвысокочастотные диоды. Справочник / Наливайко А.Б., Берлин А.С., Божков В.Г. и др. Под ред. Наливайко А.Б. Томск: МГП "РАСКО", 1992. 223 с
- Yamamoto Y., Miyanaga H. // IEEE Trans. on Electron Devices. 1990. V. 37. N 5. P. 1364--1372
- Малай А.И. // Радиотехника и электроника. 1993. Т. 38. В. 8. С. 1510--1518
- Малай А.И. // Микроэлектроника. 1994. Т. 23. В. 1. С. 35--41
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. // Изв. вузов. Электроника. 1997. N 3--4. С. 48--52
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
