"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
О радиационной устойчивости внутренней памяти программируемых цифровых микросхем
Котов Ю.А.1, Соковнин С.Ю.1, Скотников В.А.1
1Институт электрофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 1 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Проведено исследование радиационной устойчивости внутренней памяти программируемых цифровых микросхем. Установлена повышенная чувствительность внутренней памяти микросхем, выполненных по технологии КМОП, к ионизирующему излучению при замыкании выводов микросхем между собой. Информация, записанная во внутреннюю память микросхем, стирается при поглощенной дозе, которая существенно меньше уровня, при котором сама микросхема выходит из строя. Предложено найденный эффект использовать как способ стирания информации.
  • Радиационные методы в твердотельной электронике / В.С. Вавилов, Б.М. Горин, Н.С. Данилин и др. М.: Радио и связь, 1990. 184 с
  • Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. // Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатомиздат, 1988. 256 с
  • Kotov Yu.A., Sokovnin S.Yu. // Accelerator for commercial applicationURT-0.5 / Pros. of 11th IEE International Pulsed Power Conf., June 29--July 2, 1997. Baltimore, USA (in press)
  • Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы. Справочное пособие / С.В. Якубовский и др. М.: Радио и связь, 1984. 432 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.