Влияние одноосного сжатия на фотопроводимость сильнокомпенсированного Si<B, Mn>
Бахадырханов М.К.1, Илиев Х.М.1, Зикриллаев Х.Ф.1
1Ташкентский государственный технический университет
Поступила в редакцию: 6 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.
Наблюдалась довольно сильная зависимость границы фоточувствительности и рост фотоответа при одноосной упругой деформации в компенсированных кристаллах Si<B, Mn>.
- Бахадырханов М.К. Автореф. докт. дис. Л., 1982
- Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Киев: Наук. думка, 1973. 703 с
- Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1981. 168 с
- Илиев Х.М. Автореф. канд. дис. Ташкент, 1991
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.