Влияние одноосного сжатия на фотопроводимость сильнокомпенсированного Si<B, Mn>
	
	
	
Бахадырханов М.К.1, Илиев Х.М.1, Зикриллаев Х.Ф.1
1Ташкентский государственный технический университет
 
	Поступила в редакцию: 6 мая 1998 г.
		
	Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.
		
		
Наблюдалась довольно сильная зависимость границы фоточувствительности и рост фотоответа при одноосной упругой деформации в компенсированных кристаллах Si<B, Mn>. 
-  Бахадырханов М.К. Автореф. докт. дис. Л., 1982
 
-  Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Киев: Наук. думка, 1973. 703 с
 
-  Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1981. 168 с
 
-  Илиев Х.М. Автореф. канд. дис. Ташкент, 1991
 
 
		
			Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
		
		
			Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.