Фотолюминесценция кристаллов A2B4C52 и A1B3C62, пассивированных в сульфидном растворе
Бессолов В.Н.1, Лебедев М.В.1, Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Государственный технический университет, С.-Петербург
Поступила в редакцию: 19 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.
Исследовалось влияние химической обработки поверхности кристаллов полупроводниковых соединений A2B4C52 и A1B3C62, (CdSiAs2, ZnSnP2, CuGaSe2, r-AgInS2) в растворе сульфида аммония в третбутиловом спирте на фотолюминесцентные свойства. Показано, что интенсивность фотолюминесценции после обработки существенно возрастает, причем спектральная форма и энергетическое положение максимумов полос остаются неизменными.
- Scromme B.J., Sandroff C.J., Yablonovich E., Gmitter T. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. N 24. P. 2022--2024
- Moulin P.D., Tobin S.P., Lundstrom M.S., Carpenter M.S., Melloch M.R. // IEEE Electron Device Lett. 1988. V. 9. N 8. P. 368--370
- Nottenburg R.N., Sandroff C.J., Humphrey D.A., Hollenbeck T.H., Bhat R. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. N 3. P. 218--220
- Huang L.J., Rajesh K., Lau W.M., Ingrey S., Landheer D., Noеl J.-P., Lu Z.H. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1995. V. 13. N 3. P. 792--796
- Howard A.J., Ashby C.I.H., Lott J.A., Schneider R.P., Corless R.F. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. V. 12. N 4. P. 1063--1067
- Bessolov V.N., Konenkova E.V., Lebedev M.V. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1996. V. 14. N 4. P. 2761--2766
- Bessolov V.N., Lebedev M.V., Shernyakov Yu.M., Tsarenkov B.V. // Mater. Sci. \& Engineer. B. 1977. V. 44. P. 380--382
- Nelson A.J., Schwerdtfeder C.R., Herdt G.C., King D., Contreras M., Ramanathan K., O'Brien W.L. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1997. V. 15. N 4. P. 2058--2062
- Физико-химические свойства полупроводников. Справочник. М.: Наука, 1978. 340 с
- Рудь Ю.В. // ФТП. 1994. Т. 28. В. 7. C. 1105--1148
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук