Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование оптоэлектронных структур на основе твердых растворов InAsSb/InAsSbP
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 29 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.
Для формирования оптоэлектронных приборов (лазеров, светодиодов и фотодиодов) на основе твердых растворов InAs для спектрального диапазона 3-5 mum предложен травитель состава HCl/CrO3/HF/H2O. Показано, что предложенный травитель обеспечивает изотропность скоростей травления как InAs, так и твердых растворов GaInAsSb, InAsSbP и InAsSb разного состава. Приводится пример использования травителя для формирования мощных светодиодов для спектрального диапазона 3.3 mum.
- Yakovlev Yu.P., Popov A.A., Sherstnev V.V., Imenkov A.N., Danilova T.N., Ershov O.G. // 3rd European Conference on Optical Chemical Sensor and Biosensor. 31 Mach-3 April, 1996. Zurich, Switzerland, 1996. P. 10
- А.А. Попов, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 21. С. 24
- Горелик Д.О., Конопелько Л.А. Мониторинг загрязнения атмосферы и источников выбросов. Аэро-аналитические измерения., М., 1992. С. 289
- Полупроводниковые соединения A3B5 / Под ред. Р. Виллардсона и Х. Геринга. М., 1967. С. 630
- Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. М., 1975. С. 276
- Глинка Н.Л. Общая химия. Л., 1985. С. 635
- J. Electrochem. Soc. Solid-State Science and Technology. 1986. V. 133. N 12. P. 2565
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
