"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование оптоэлектронных структур на основе твердых растворов InAsSb/InAsSbP
Гребенщикова Е.А.1, Литвак А.М.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.

Для формирования оптоэлектронных приборов (лазеров, светодиодов и фотодиодов) на основе твердых растворов InAs для спектрального диапазона 3--5 mum предложен травитель состава HCl/CrO3/HF/H2O. Показано, что предложенный травитель обеспечивает изотропность скоростей травления как InAs, так и твердых растворов GaInAsSb, InAsSbP и InAsSb разного состава. Приводится пример использования травителя для формирования мощных светодиодов для спектрального диапазона 3.3 mum.
  1. Yakovlev Yu.P., Popov A.A., Sherstnev V.V., Imenkov A.N., Danilova T.N., Ershov O.G. // 3rd European Conference on Optical Chemical Sensor and Biosensor. 31 Mach-3 April, 1996. Zurich, Switzerland, 1996. P. 10
  2. А.А. Попов, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 21. С. 24
  3. Горелик Д.О., Конопелько Л.А. Мониторинг загрязнения атмосферы и источников выбросов. Аэро-аналитические измерения., М., 1992. С. 289
  4. Полупроводниковые соединения A-=SUP=-3-=/SUP=-B-=SUP=-5-=/SUP=- / Под ред. Р. Виллардсона и Х. Геринга. М., 1967. С. 630
  5. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. М., 1975. С. 276
  6. Глинка Н.Л. Общая химия. Л., 1985. С. 635
  7. J. Electrochem. Soc. Solid-State Science and Technology. 1986. V. 133. N 12. P. 2565

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.