Спонтанное длинноволновое межуровневое излучение в лазерных структурах с квантовыми точками
Воробьев Л.Е.1, Фирсов Д.А.1, Шалыгин В.А.1, Тулупенко В.Н.1, Шерняков Ю.М.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Копьев П.С.1, Кочнев И.В.1, Леденцов Н.Н.1, Максимов М.В.1, Устинов В.М.1, Алферов Ж.И.1
1С.-Петербургский государственный технический университет Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.
Впервые наблюдалось спонтанное излучение, связанное с внутризонными переходами дырок и электронов между уровнями размерного квантования в вертикально связанных квантовых точках (QD), а также с переходами из состояний в квантовой яме на уровень в QD. Спектральная область излучения лежала в дальнем ИК диапазоне (lambda=~ 10-20 mum). Длинноволновое излучение регистрировалось только при одновременной генерации коротковолнового межзонного излучения (lambda=~ 0.94 mum) в лазерных InGaAs/AlGaAs QD структурах при токах, больших порогового.
- Intersubband transitions in quantum wells / Ed. E. Rosencher, B. Levine // NATO ASI Series. Ser. B. Physics. V. 288. Plenum Press. N.-Y. and London, 1992
- Faist J., Capasso F., Sivco D.L. et al. // Science. 1994. V. 264. P. 553--556
- Gauthier O.-Lafaye, Sauvage S., Boucaud P. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70. N 24. P. 3197--3199; Proceedings of Intern. Sympos. "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg, 1997. P. 567--570
- Sauvage S., Boucaud P., Julien F.H. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. N 19. P. 2785--2787
- Maximov M.V., Shernyakov Yu.M., Ledentsov N.N. et al. // Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg, 1997. P. 202--205
- Grundmann M., Stier O., Bimberg D. // Phys. Rev. B. 1995. V. 52. P. 11969--11981
- Heitz R., Veit M., Ledentsov N.N. et al. // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. P. 10435--10445
- Ledentsov N.N. // The Physics of Semiconductors / Ed. by M. Scheffler and R. Zimmermann. Singapore: "World Scientific", 1996. V. 1. P. 19--26
- Steer M.J., Mowbray D.J., Skolnick M.S. et al. // The Physics of Semiconductors. / Ed. by M. Scheffler and R. Zimmermann. Singapore. "World Scientific", 1996. V. 2. P. 1389--1392
- Sandmann J.H.H., von Plessen G, Feldman J. et al. // Program and Abstracts of 10 Int. Conf. on Nonequillibrium Carrier Dynamics in Semiconductors. Berlin, 1997. Report MoD3
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
