Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1998, выпуск 7 » Статья стр. 8
<<<>>>
Особенности эпитаксиальных слоев GaAs как детекторов alpha-частиц
Ботнарюк В.М.1, Жиляев Ю.В.1, Иванов А.М.1, Строкан Н.Б.1, Федоров Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.
PDF версия
Рассмотрены свойства p+-n-структур на основе эпитаксиальных слоев GaAs при использовании их в качестве детекторов легких ионов (alpha-частиц). Проведено сопоставление с последними литературными данными относительно возможностей современного полуизолирующего SI-GaAs. Отмечается, что эпитаксиальные слои имеют меньшее на два порядка величины содержание примесей и дефектов структуры, образующих глубокие уровни в запрещенной зоне материала. Последние определяют условия переноса неравновесных носителей в детекторе, обусловливая их захват, а также формируют профиль электрического поля. Для времени жизни носителей заряда получена величина <= 200 ns, что на два порядка выше значений для SI-GaAs в полном соответствии с меньшим содержанием глубоких центров. Показано, как глубокие центры сказываются на профиле поля, образуя заметную по масштабу область слабых значений.
  1. Eberhardt J.E., Ryan R.D., Tavendale A.J. // NIM. 1971. N 3. P. 463--466
  2. Kobayashi T., Sugita T. // NIM. 1972. N 1. P. 179--181
  3. Голенецкий С.П., Залетин В.М., Протасов И.И., Дударев А.Т. // ПТЭ. 1980. N 3. С. 63--66
  4. Nava F., Alietti M., Canali C., Cavallini A., Chiossi C., Papa C., Re V., Lanzieri C. // IEEE Trans. on Nucl. Science. 1996. V. 43. N 3. P. 1130--1136
  5. Жиляев Ю.В. // Дис. на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук. АН СССР. ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Л., 1991
  6. Mc. Cregor D.S., Rojeski R.A., Knoll G.F., Terry F.L., East J., Eisen Y. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. N 12. P. 7910--7915
  7. Sah C.T., Reddi V.G.K. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1964. ED-11. P. 345--351
  8. Маковский Л.Л., Рывкин С.М., Строкан Н.Б., Субашева В.П., Хусаинов А.Х. Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов. Л.: Наука, 1969. Сб. ст. С. 88
  9. Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Кечек А.Г., Кузнецов Н.И., Лебедев А.А., Шульга Ю.Н. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 2. С. 181--184
  10. Quaranta A., Taroni A., Zanarini G. // IEEE Trans. Nucl. Ser. 1968. V. 15. N 3. P. 373--380
  11. Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Маляренко А.М., Строкан Н.Б., Суханов В.Л. // ФТП. 1987. Т. 21. N 10. С. 1883--1887

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme