Рассмотрены свойства p⁺-n-структур на основе эпитаксиальных слоев GaAs при использовании их в качестве детекторов легких ионов (alpha-частиц). Проведено сопоставление с последними литературными данными относительно возможностей современного полуизолирующего SI-GaAs. Отмечается, что эпитаксиальные слои имеют меньшее на два порядка величины содержание примесей и дефектов структуры, образующих глубокие уровни в запрещенной зоне материала. Последние определяют условия переноса неравновесных носителей в детекторе, обусловливая их захват, а также формируют профиль электрического поля. Для времени жизни носителей заряда получена величина <= 200 ns, что на два порядка выше значений для SI-GaAs в полном соответствии с меньшим содержанием глубоких центров. Показано, как глубокие центры сказываются на профиле поля, образуя заметную по масштабу область слабых значений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.