"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Выращивание InAs фотодиодных структур из металлорганических соединений
Кижаев С.С.1, Михайлова М.П.1, Молчанов С.С.1, Стоянов Н.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Выращены слои InAs методом эпитаксии из металлорганических соединений на p-InAs подложках. На основе полученных p-n-структур изготовлены фотодиоды. Исследованы вольт-амперные, вольт-емкостные и спектральные характеристики фотодиодных структур.
  1. Данилова Т.Н., Ершов О.Г., Именков А.Н., Степанов М.В., Шерснев В.В., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1996. Т. 30. С. 1244
  2. Choi H.K., Turner G.W., Eglash S.J. // IEEE Photonics Technol. Lett. 1994. V. 6. P. 7
  3. Михайлова М.П., Слободчиков С.В., Стоянов Н.Д., Стусь Н.М., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. С. 63
  4. Baliga B., Ghandhi K. // J. Electrochem. Soc. 1974. V. 121. P. 1642
  5. Fukui T., Horikoshi Y. // Jap. J. Appl. Phys. 1979. V. 18.P. 2157
  6. Fukui T., Horikoshi Y. // Jap. J. Appl. Phys. 1980. V. 19. L551
  7. Fukui T., Horikoshi Y. // Jap. J. Appl. Phys. 1981. V. 20. P. 587
  8. Haywood S.K., Martin R.W., Mason N.J., Walker P.J. // J. Crystal Growth. 1989. V. 97. P. 489
  9. Biefeld R.M., Baucom K.C., Kurtz S.R. // J. Crystal Growth. 1994. V. 137. P. 231
  10. Duncan W., Ali A.S.M., Marsh E.M., Spurdens P.C. // J. Crystal Growth. 1994. V. 143. P. 155
  11. Травление полупроводников, М.: Мир, 1965
  12. Handbook Series on Semiconductor Parameters. V. 1 / Ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur. World Scientific Publish. Co. Pte. Ltd
  13. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. / Пер. с англ. М.: Мир, 1984
  14. Infrared Detectors 1995. EG \& G Optoelectronic JUDSON. 53 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.