"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние однородности накачки на перестройку током длины волны излучения диодных лазеров на основе InAsSb / InAsSbP
Данилова Т.Н.1, Евсеенко О.И.1, Именков А.Н.1, Колчанова Н.М.1, Степанов М.В.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.

Исследована плавная перестройка длины волны излучения в диодных гетеролазерах на основе InAsSb / InAsSbP двух типов: трехслойных с совмещенным и пятислойных с разделенным электрическим и оптическим ограничением. В трехслойных структурах длина волны излучения сначала уменьшается на 2-4 Angstrem с ростом тока, а затем увеличивается на 10-15 Angstrem. В пятислойных структурах наблюдается в основном уменьшение длины волны излучения. Полученное различие объясняется лучшим растеканием носителей заряда по объему активной области в пятислойных структурах по сравнению с трехслойными.
  1. Баранов А.Н., Данилова Т.Н., Ершов О.Г., Именков А.Н., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 22. С. 6--10
  2. Яковлев Ю.П., Баранов А.Н., Именков А.Н., Шерстнев В.В., Степанов Е.В., Понуровский А.Я. // Квант. электрон. 1993. Т. 20. N 9. С. 839--842
  3. Baranov A.N., Imenkov A.N., Sherstnev V.V., Yakovlev Yu.P. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N 19. P. 2480--2482
  4. Данилова Т.Н., Евсеенко О.И., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 16. С. 7--11
  5. Данилова Т.Н., Евсеенко О.И., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1997. Т. 31, N 6. С. 662--665

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.