Получение тонких пленок новых широкозонных полупроводников ZnGa2S4
Попович Н.И.1, Довгошей Н.И.1, Качер И.Э.1
1Ужгородский государственный университет, Украина
Поступила в редакцию: 30 сентября 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.
Исследовалась возможность получения тонких пленок новых полупроводников ZnGa2S4 методами импульсного лазерного распыления и квазиравновесного распыления из ячейки Кнудсена. Установлено, что полученные пленки прозрачные в области 0.3-26 mum, ширина их запрещенной зоны составляет 3.79 eV, показатель преломления в области прозрачности 2.19.
- Георгобиани А.Н., Радауцан С.И., Тигиняну И.М. // ФТП, 1985. Т. 19. N 2. C. 192--212
- Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов. радио, 1968. 268 с
- Popovich N., Dovgoshey N., Zhikharev V., Kacher I. // 10th International conference on thin films. 5th European vacuum conference. Abstract book. Madrid, 1996. P. 84
- Риган М.Ю., Стасюк Н.П. // Получение и свойства сложных полупроводников. Киев: УМК ВО, 1991. С. 62--69
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук