О влиянии дополнительного планарного короткозамкнутого p-n-перехода, расположенного вблизи основного
Астахов В.П.1, Гиндин Д.А.1, Карпов В.В.1
1Московский завод "Сапфир"
Поступила в редакцию: 13 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.
Обсуждена и экспериментально показана возможность уменьшения обратных и увеличения прямых токов малоразмерных планарных диодов за счет дополнительного короткозамкнутого планарного p-n-перехода, расположенного в пределах диффузионной длины неосновных носителей заряда от планарных границ диодов.
- Астахов В.П., Варганов С.В., Демидова Л.В., Дудкин В.Ф., Ежов В.П. и др. Патент РФ 1589963
- Астахов В.П., Дудкин В.Ф., Кернер Б.С., Осиков В.В., Смолин О.В., Таубкин И.И. // Микроэлектроника. 1989. Т. 18. В. 5. С. 455--463
- Shocley W., Noyce R., Saa C. // Proc. IRE. 1957. V. 45. P. 1228
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
