Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование имплантированных слоев в карбиде кремния модуляционным фоторефлекционным методом
Вальтер (H.G. Walther) Х.Г.1,2,3,4, Карге (H. Karge) Х.1,2,3,4, Муратиков К.Л.1,2,3,4, Суворов А.В.1,2,3,4, Усов И.О.1,2,3,4
1Institute fur Optik und Quantenelektronik, Friedrich-Schiller Universitat, Jena, Germany
2Jena Wave Engineering & Consulting, Jena, Germany
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Cree Reseach Inc. Durham, NC, USA
2Jena Wave Engineering & Consulting, Jena, Germany
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Cree Reseach Inc. Durham, NC, USA
Поступила в редакцию: 4 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.
Рассмотрена возможность использования модуляционного фоторефлекционного метода для диагностики ионно-имплантированных слоев в карбиде кремния. Показано, что фоторефлекционный метод позволяет определять толщину слоя, а также характер изменения оптических параметров слоя в зависимости от дозы имплантированных ионов.
- Rosencwaig A. // Photoacoustic and Thermal Wave Phenomena in Semiconductors / Ed. by A. Mandelis. New York, Elsevier Science Publishing Co, 1987. P. 97--135
- Opsal J., Rosencwaig A., Willenborg D.L. // Appl. Opt. 1983. V. 22. N 11. P. 3169--3176
- Rosencwaig A., Opsal J., Smith W.L., Willenborg D.L. // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 46. N 11. P. 1013--1015
- Opsal J., Rosencwaig A. // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. N 5. P. 498--500
- Hara T., Hagiwara H., Ichikawa R., Nakashima S., Mizoguchi K., Smith W.L., Welles C., Hahn S.K., Larson L. // IEEE Electron Device Lett. 1990. V. 11. N 11. P. 485--486
- Christofides C., Vitkin I.A., Mandelis A. // J. Appl. Phys. 1990. V. 67. N 6. P. 2815--2821
- Vitkin I.A., Christofides C., Mandelis A. // J. Appl. Phys. 1990. V. 67. N 6. P. 2822--2830
- Nesteros M., Forget B.C. // Phys. Rev. B. 1995-II. V. 51. N 20. P. 14115--14123
- Seas A., Christofides C. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. N 24. P. 3346--3348
- Forget B.C., Barbereau I., Fournier D., Tuli S., Battacharyya A.B. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. N 8. P. 1107--1109
- Benedetto G., Boarino L., Spagnolo R. // Phys. Stat. Sol. (a). 1994. V. 146. P. 777--783
- Sawada T., Gohshi Y., Watanabe T., Furuga K. // Jpn. J. Appl. Phys. 1985. V. 24. N 12. P. L938--L940
- Uchitomi N., Mikami H., Toyoda N., Nii R. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. N 1. P. 30--32
- Pensl G., Helbig R. // Advances in Solid State Physics / Ed. by U. Roussler. Friedr. Vieweg \& Sohn. Braunschweig. 1990. V. 30. P. 133--156
- Geiler H.D., Karge H., Kluge A. // Surface Science and Coatings Technology. 1994. V. 66. P. 265--270
- Opsal J. // Photoacoustic and Photothermal Phenomena. II. Springer Series in Optical Sciences. 1990. V. 62. P. 140--145
- Wendler E., Heft A., Zammit U., Glaser E., Marinelli M., Wesch W. // Nucl. Instr. \& Methods. B. 1996. V. 116. P. 398--403.
- Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Изд-во физ.-мат. литературы, 1963. 264 с
- Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука. 1970. 855 с
- Derst G., Wilberts C., Bhatia K.L., Kratschmer W., Kalbitzer S. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. N 18. P. 1722--1724
- Shaffer P.T.B. // Appl. Opt. 1971. V. 10. N 5. P. 1034--1036
- Biersack J.P., Haggmark L.G. // Nucl. Instrum. \& Methods. 1980. V. 174. P. 257--269
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
