Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Арсенид-галлиевый фотокатод на основе гетероэпитаксиальной структуры AlGaAs/p+ --GaAs/AlGaAs, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1АООТ ''Катод'', Новосибирск
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 26 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.
- Kolac U., Donath M., Ertl K. Rev. Sci. Instrum. 1988. V. 59. P. 1933--1936
- Andre J.P., Guittard P., Hallais J., Piaget C. J. Cryst. Growth. 1981. V. 55. N 1. P. 235--245
- Болховитянов Ю.Б., Морозов Б.В., Суранов А.С. и др. Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. В. 7. С. 25--29
- Narayanon A.A., Fisher D.G., Erickson Z.P. J. Appl. Phys. 1984. V. 56. P. 1886--1887
- Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Пер. с англ. под ред. Ж.И. Алферова. М.: Мир. 1989. Гл. 5. 582 с
- Галицын Ю.Г., Мансуров В.Г., Пошевнев В.И. Поверхность. 1989. N 10. С. 140--142
- Besanson M., Zanders R., Jupille J. J. Vac. Sci. Technol. A. V. 5. N 4. 1987. P. 2025--2027
- Stocker B.J. Surf. Sci. 1975. V. 47. P. 501--513
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
