Рекомбинационные свойства прямосращенных кремниевых структур с регулярным рельефом на интерфейсе
Грехов И.В.1, Берман Л.С.1, Аргунова Т.С.1, Костина Л.С.1, Белякова Е.И.1, Кудрявцева Т.В.1, Ким Е.Д.1, Ким С.Ч.1, Пак Д.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Korea Electrotechnology Research Institute
Поступила в редакцию: 4 октября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.
Исследовано влияние регулярного рельефа на интерфейсе прямосращенных кремниевых структур на их рекомбинационные свойства и энергетические спектры плотности состояний глубокоуровневых центров. Нанесение регулярного рельефа позволило увеличить время жизни неосновных носителей заряда более чем на порядок и в несколько раз уменьшить концентрацию глубокоуровневых центров.
- Shimbo M., Furukawa K., Fukuda K., Tanzawa K. J. Appl. Phys. 1986. V. 60. N 8. P. 2987--2989
- Atsuta M., Ogura T., Nakagava A., Ohashi H. Extended Abstracts. 19th conf. Solid State Dev. and Mater. Tokyo, 1989. P. 47.
- Lasky J.B. Appl. Phys. lett. 1986. V. 48. N 1. P. 78--80
- Ohura J., Tsukakoshi T., Fukuda K., Shimbo M., Ohashi H. IEEE Elect. Dev. Lett. 1987. V. EDL-8. P. 454--456
- Bengtsson S., Engstrom O. J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N 3. P. 1231--1239
- Yen C.-F., Hwangleu S. Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1. 1992. V. 31. N 5A. P. 1535--1540
- Bengtsson S. J. Electron. Mater. 1992. V. 21. N 8. P. 841--862
- Kim E.D., Kim S.C., Park J.M., Grekhov I.V., Argunova T.S., Kostina L.S., Kudriavtzeva T.V. J. Elecronics Letters. 1995. V. 31. N 20. P. 24--27
- Аргунова Т.С., Андреева А.Г., Белякова E.И., Грехов И.В., Костина Л.С., Кудрявцева Т.В. Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 4. С. 1--11
- Grekhov I.V., Kostina L.S., Beliakova E.I., Rolnik I.A. Proc. of the ISPSD. Davos. Switzerland. May 31-June 2, 1994. P. 233--235
- Kern W., Puotinen D.A. RCA Rev. 1970. V. 31. P. 187
- Берман Л.С., Ременюк А.Д., Толстобров М.Г. Универсальная измерительная установка для емкостной спектроскопии полупроводинков, автоматизированная на основе цифровой техники. Препринт ФТИ N 974. 1985. 25 с
- Берман Л.С. Физ. техн. полупр. 1980. Т. 14. N 3. С. 588--590
- Берман Л.С., Жмерик В.Н., Ременюк А.Д., Толстобров М.Г. Физ. техн. полупр. 1981. Т. 15. N 5. С. 1844--1847
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М., 1984. Т. 1. 456 с
- Sah C.T., Wang C.T. J. Appl. Phys. 1975. V. 46. N 4. P. 1767
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук