"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Рекомбинационные свойства прямосращенных кремниевых структур с регулярным рельефом на интерфейсе
Грехов И.В.1, Берман Л.С.1, Аргунова Т.С.1, Костина Л.С.1, Белякова Е.И.1, Кудрявцева Т.В.1, Ким Е.Д.1, Ким С.Ч.1, Пак Д.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН С.-Петербург Korea Electrotechnology Research Institute
Поступила в редакцию: 4 октября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

Исследовано влияние регулярного рельефа на интерфейсе прямосращенных кремниевых структур на их рекомбинационные свойства и энергетические спектры плотности состояний глубокоуровневых центров. Нанесение регулярного рельефа позволило увеличить время жизни неосновных носителей заряда более чем на порядок и в несколько раз уменьшить концентрацию глубокоуровневых центров.
  1. Shimbo M., Furukawa K., Fukuda K., Tanzawa K. J. Appl. Phys. 1986. V. 60. N 8. P. 2987--2989
  2. Atsuta M., Ogura T., Nakagava A., Ohashi H. Extended Abstracts. 19th conf. Solid State Dev. and Mater. Tokyo, 1989. P. 47.
  3. Lasky J.B. Appl. Phys. lett. 1986. V. 48. N 1. P. 78--80
  4. Ohura J., Tsukakoshi T., Fukuda K., Shimbo M., Ohashi H. IEEE Elect. Dev. Lett. 1987. V. EDL-8. P. 454--456
  5. Bengtsson S., Engstrom O. J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N 3. P. 1231--1239
  6. Yen C.-F., Hwangleu S. Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1. 1992. V. 31. N 5A. P. 1535--1540
  7. Bengtsson S. J. Electron. Mater. 1992. V. 21. N 8. P. 841--862
  8. Kim E.D., Kim S.C., Park J.M., Grekhov I.V., Argunova T.S., Kostina L.S., Kudriavtzeva T.V. J. Elecronics Letters. 1995. V. 31. N 20. P. 24--27
  9. Аргунова Т.С., Андреева А.Г., Белякова E.И., Грехов И.В., Костина Л.С., Кудрявцева Т.В. Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 4. С. 1--11
  10. Grekhov I.V., Kostina L.S., Beliakova E.I., Rolnik I.A. Proc. of the ISPSD. Davos. Switzerland. May 31-June 2, 1994. P. 233--235
  11. Kern W., Puotinen D.A. RCA Rev. 1970. V. 31. P. 187
  12. Берман Л.С., Ременюк А.Д., Толстобров М.Г. Универсальная измерительная установка для емкостной спектроскопии полупроводинков, автоматизированная на основе цифровой техники. Препринт ФТИ N 974. 1985. 25 с
  13. Берман Л.С. Физ. техн. полупр. 1980. Т. 14. N 3. С. 588--590
  14. Берман Л.С., Жмерик В.Н., Ременюк А.Д., Толстобров М.Г. Физ. техн. полупр. 1981. Т. 15. N 5. С. 1844--1847
  15. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М., 1984. Т. 1. 456 с
  16. Sah C.T., Wang C.T. J. Appl. Phys. 1975. V. 46. N 4. P. 1767

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.