Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности формирования многослойных наноструктур Ge/Si при ионно-лучевой кристаллизации
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
2Специальное конструкторско-технологическое бюро "Инверсия", Ростов-на-Дону
2Специальное конструкторско-технологическое бюро "Инверсия", Ростов-на-Дону
Email: chebotarev.sergei@gmail.com
Поступила в редакцию: 28 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.
Предложен метод комбинированной ионно-лучевой кристаллизации многослойных наноструктур Ge/Si. Используя атомно-силовую и электронную микроскопию показано, что при температурах подложки кремния T=330-350oC, энергиях EGE+=30-40 eV, E0Ar+=230-240 eV (первичное импульсное дефектообразование), EAr+=130-140 eV (перманентная стимуляция диффузии) и ионных потоках fGe+~ 1.5 · 1014 cm-2· s-1, fAr+~ 5· 1012 cm-2· s-1 образуется массив квантовых точек германия с латеральными размерами < a>=12-15 nm. Данные рамановской спектроскопии указывают на экспериментальную возможность низкотемпературного ионно-стимулированного выращивания спейсерных слоев кремния (T=420-450o C, EAr+=80-90 eV, ESi+=30-40 eV, fSi+=3.5· 1014 cm-2· s-1) и формирования многослойных структур с квантовыми точками GexSi1-x (x>0.85).
- Sugawara M., Mukai K., Shoji H. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. P. 2791--2793
- Пчеляков О.П., Болховитянов Ю.Б., Двуреченский А.В., Соколов Л.В., Никифоров А.И., Якимов А.И., Фойхтлендер Б. // ФТП. 2000. Т. 34. В. 11. С. 1281--1299
- Лунин Л.С., Сысоев И.А., Алфимова Д.Л., Чеботарев С.Н., Пащенко А.С. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2011. N 6. С. 58--62
- Лунин Л.С., Чеботарев С.Н., Пащенко А.С. // Неорганические материалы. 2013. Т. 49. N 5. С. 435--438
- Лунин Л.С., Чеботарев С.Н., Пащенко А.С. // Неорганические материалы. 2012. Т. 48. N 5. С. 517--522
- Ishizaka A., Nakagawa K., Shiraki Y. // Proc. MBE-CST-2. Tokyo. 1983. P. 183--186
- Лозовский В.Н., Чеботарев С.Н., Ирха В.А., Валов Г.В. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 16. С. 1--5
- Лунин Л.С., Чеботарев С.Н., Пащенко А.С., Дудников С.А. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2013. N 1. С. 40--44
- Groenen J., Carles R., Christiansen S., Albrecht M., Dorsch W., Strunk H.P., Wawra H., Wagner G. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. N 26. P. 3856
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
