"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Особенности изменения электрических параметров кремниевых p-n-структур, облученных электронами при высоких температурах
Мусаев А.М.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Email: akhmed-musaev@yandex.ru
Поступила в редакцию: 29 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Исследовано влияние температурного режима электронного облучения с энергией 4 MeV на изменение основных электрофизических характеристик диффузионных кремниевых p+-n-n+-структур. Показано, что температура кристалла и интегральная интенсивность при облучении существенно влияют на параметры образования радиационных дефектов и на характер их распределения в различных областях кремниевых p+-n-n+-структур.
  1. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. // Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск: Наука и техника, 1978
  2. Пагава Т.А. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 10. С. 1159--1162
  3. Hazdra P., Vobecky J., Dorschner H., Brand K. // Microelectronics J. 2004. V. 35. P. 249--257
  4. Видалко Е.Н., Гайдар Г.П., Гирий В.А. // Неорганические материалы. 1986. Т. 22. N 4. С. 533--535
  5. Берман Л.С., Лебедев А.А. // Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. 176 с
  6. Козлов В.А., Козловский В.В. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 7. С. 769--794
  7. Пагава Т.А. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 8. С. 919--921

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.