"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Твердые растворы AlInAsSb и AlGaInAsSb для барьерных слоев источников излучения спектрального диапазона 3-5 mum, полученные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Васильев В.И.1, Гагис Г.С.1, Лёвин Р.В.1, Пушный Б.В.1, Дерягин А.Г.1, Кучинский В.И.1, Мизеров М.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Email: galina.gagis@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Исследованы процессы эпитаксиального роста твердых растворов AluGa1-u-xInxAsySb1-y и AluCa1-uAsySb1-y. Получены эпитаксиальные слои с составами 0.02<u<0.11, 0.88<x<0.93, 0.88<y<0.98 на подложках InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при пониженном давлении (76 Torr) и отношении суммы парциальных давлений соединений с элементами пятой группы к таковой для соединений с элементами третьей группы V/III=3.6-6. При несоответствии параметра решетки 1· 10-3 величины полуширин кривых рентгеновского дифракционного отражения для лучших образцов составляли: для подложек 15 arcsec, для слоев --- 66 arcsec.
  1. Shterengas L., Kipshidze G., Hosoda T. et al. // Electron. Lett. 2009. V. 45. N 18. P. 942--943
  2. Васильев В.И., Гагис Г.С., Левин Р.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 9. С. 23--30
  3. Smirnov V.M., Betty P.J., Jones R. et al. // Stat. Sol. (a). 2007. V. 204. N 4. P. 1047--1050
  4. Gagis G.S., Vasil'ev V.I., Deryagin A.G. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2008. V. 23. P. 125 026 (6p.)
  5. Shteregas L., Belenky G., Kisin M.V., Donetsky D. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 011 119
  6. Grau M., Lin C., Dier O. et al. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. P. 241 104 (3p.)
  7. Lane B., Razeghi M. // J. Cryst. Growth, 2000. V. 221. P. 679--682
  8. Krijn M.P.C.M. // Semicond. Sci. Technol. 1991. V. 6. P. 27--31
  9. Adachi S. // J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N 12. P. 6030--6040
  10. Jaw D.H., Chang J.R., Su Y.K. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. N 22. P. 3883--3885

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.