Шемухин А.А.1, Балакшин Ю.В.1, Черныш В.С.1, Патракеев А.С.1, Голубков С.А.1, Егоров Н.Н.1, Сидоров А.И.1, Малюков Б.А.1, Стаценко В.Н.1, Чумак В.Д.1
1Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова (НИИЯФ МГУ) Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Научно-исследовательский институт материаловедения, Зеленоград (ЗАО НИИМВ) ЗАО ЭПИЭЛ
Email: shemuhin@gmail.com
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.
Показано влияние энергии, дозы и температуры облучения КНС-структур ионами Si+, а также параметров рекристаллизационного отжига на кристалличность кремниевой пленки. Определены условия проведения имплантации и рекристаллизационного отжига.
- Nakamura T., Matsuhashi H., Nagatomo Y. // Oki Technical Rev. 2004. V. 71 (4). P. 66
- Golecki I., Madox R.L., Slica K.M. // J. Electron. Mater. 1984. V. 13. P. 373
- Wang Q., Zan Y., Wang J., Yu Y. // Materials Science and Engineering. B. 1995. V. 29. P. 43--46
- Александров П.А., Демаков К.Д., Шемардов С.Г., Кузнецов Ю.Ю. // ФТП. 2010. Т. 44 (10). С. 1433
- Воротынцев В.М., Шолобов Е.Л., Герасимов В.А. // ФТП. 2011. Т. 45 (12). С. 1662
- Тулинов А.Ф., Чеченин Н.Г., Бедняков А.А., Бурдель К.К. и др. Оборудование и методы, используемые в НИИЯФ МГУ для модификации и контроля свойств полупроводниковых и других материалов: Препринт НИИЯФ МГУ 88-57/76. М., 1988. 24 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук