Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Модель для описания особенности на аккумуляционной ветви вольт-фарадных характеристик МОП-конденсаторов с наночастицами кремния в окисле
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: stuchin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 27 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.
Предложена модель для описания особенности, формирующейся на НЧ ВФХ МОП-конденсаторов с нановключениями Si в окисле. Возникновение особенности связывается с изменением на частоте измерения ВФХ заряда, накапливающегося в окисле в результате инжекции носителей заряда из контактов и их туннельной миграции сквозь окисел по линейным цепочкам наночастиц в условиях разброса туннельных расстояний в цепочках. Свойства модели проиллюстрированы на простейшем примере МОП-конденсатора с планарным массивом кремниевых нанокристаллов в окисле и монополярной инжекцией дырок из слоя обогащения p-полупроводника. Приведена вольт-фарадная кривая, измеренная на конденсаторе с кластерами аморфного кремния в окисле, которая весьма напоминает кривые с двугорбой особенностью, предсказываемые моделью.
- Аржанникова С.А., Ефремов М.Д., Камаев Г.Н., Марин Д.В., Володин В.А., Вощенков А.А. // Сборник трудов VI Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" 7-9 июля 2008 г. Санкт-Петербург: Политехнический университет, 2008. С. 162-163
- Ефремов М.Д., Камаев Г.Н., Володин В.А., Аржанникова С.А., Качурин Г.А., Черкова С.Г., Кретинин А.В., Малютина-Бронская В.В., Марин Д.В. // ФТП. 2005. Т. 39. В. 8. С. 945-952
- Shi J., Wu L., Huang X., Liu J., Ma Z., Li W., Li X., Xu J., Wu D., Li A., Chen K. // Sol. St. Communications. 2002. V. 123. P. 437
- Yu L.W., Chen K.J., Wu L.C., Dai M., Li W., Huang X.F. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. P. 245 305
- Евтух А.А., Литовченко В.Г., Братусь О.Л., Кизяк А.Ю. // Материалы II Международной научной конференции "Наноструктурные материалы --- 2010". Россия-Белоруссия-Украина, Киев, 19-22 октября 2010 г. С. 419
- Antonova I.V. Electrical properties of semiconductor nanocrystals and quantum dots in dielectric matrix, in: Torchynska T.V., Vorobiev Yu.V. (editors). Nanocrystals and Quantum Dots in Group IV Semiconductors Ranch: American Scientific Publishers, 2010. P. 149-815
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
