Предложена модель для описания особенности, формирующейся на НЧ ВФХ МОП-конденсаторов с нановключениями Si в окисле. Возникновение особенности связывается с изменением на частоте измерения ВФХ заряда, накапливающегося в окисле в результате инжекции носителей заряда из контактов и их туннельной миграции сквозь окисел по линейным цепочкам наночастиц в условиях разброса туннельных расстояний в цепочках. Свойства модели проиллюстрированы на простейшем примере МОП-конденсатора с планарным массивом кремниевых нанокристаллов в окисле и монополярной инжекцией дырок из слоя обогащения p-полупроводника. Приведена вольт-фарадная кривая, измеренная на конденсаторе с кластерами аморфного кремния в окисле, которая весьма напоминает кривые с двугорбой особенностью, предсказываемые моделью.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.