Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2012, выпуск 18 » Статья стр. 53
<<<>>>
Затравочные слои на подложках RABiTS для ВТСП проводов второго поколения
Черных И.А.1, Строев А.М.1, Клевалина Л.В.1, Пресняков М.Ю.1, Головкова Е.А.1, Тихомиров С.А.1, Занавескин М.Л.1, Марченков А.Н.1, Шиков А.К.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: igor.chernykh@gmail.com
Поступила в редакцию: 4 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.
PDF версия
Методом импульсного лазерного осаждения на металлических лентах RABiTS сформированы эпитаксиальные пленки CeO2 и Y2O3. Проведено исследование зависимости кристаллической ориентации пленок от температуры синтеза. Показано, что пленки Y2O3 формируются со 100%-й ориентацией (100), в то время как в пленках CeO2 во всем диапазоне температур роста присутствует паразитная ориентация. Острота текстуры в плоскости подложки составила 8o. Исследования поверхности пленок показали, что в пленках CeO2 при увеличении температуры синтеза возникают трещины, поверхность пленок Y2O3 является сплошной во всем диапазоне температур синтеза. Пленки Y2O3 наиболее соответствуют требованиям, предъявляемым к затравочным слоям: являются эпитаксиальными с кристаллической ориентацией (100), наследуют текстуру подложки, поверхность является гладкой, без наличия трещин.
  1. Selvamanickam V., Yimin C., Xuming X., Xie Y., Martchevski M., Rar A., Yunfei Q., Schmidt R.M., Knoll A., Lenseth K.P., Weber C.S. // IEEE. Appl. Supercond. 2009. V. 19. N 3. P. 3225
  2. Rupich M.W., Schoop U., Verebelyi D.T., Thieme C.L.H., Buczek D., Li X., Zhang W., Kodenkandath T., Huang Y., Siegal E., Carter W., Nguyen N., Schreiber J., Prasova M., Lynch J., Tucker D., Harnois R., King C., Aized D. // IEEE. Appl. Supercond. 2007. V. 17. N 2. P. 3379-3382
  3. Usoskin A., Kirchhoff L., Knoke J., Prause B., Rutt A., Selskij V., Farrell D.E. // IEEE. Appl. Supercond. 2007. V. 17. N 2. P. 3235-3238
  4. Igarashi M., Kakimoto K., Hanyu S., Tashita C., Hayashida T., Hanada Y., Fujita S., Morita K., Nakamura N., Sutoh Y., Kutami H., Iijima Y., Saitoh T. // J. Phys.: Conf. Ser. 2010. V. 234. P. 022016
  5. Haught D., Daley J., Bakke P., Marchionini B. // Int. J. Appl. Ceram. Technol. 2007. V. 4. N 3. P. 197
  6. Eickemeyer J., Huhne R., Guth A., Rodig C., Klauss H., Holzapfel B. // Supercond. Sci. Technol. 2008. V. 21. N 10. P. 105012-105018
  7. Huhne R., Subramanya Sarma V., Okai D., Thersleff T., Schultz L., Holzapfel B. // Supercond. Sci. Technol. 2007. V. 20. N 7. P. 709-714
  8. Xiong J., Chen Y., Qiu Y., Tao B., Qin W., Cui X., Li Y. // J. Mater. Sci. Technol. 2007. V. 23. P. 457-460
  9. Barnes P.N., Nekkanti R.M., Haugan T.J., Campbell T.A., Yust N.A., Evans J.M. // Supercond. Sci. Technol. 2004. V. 17. N 8. P. 957
  10. Hsueh С., Paranthaman M. // J. Mater. Sci. 2008. V. 43. N 18. P. 6223

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme