Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия (Ga,Mn)As нитевидных кристаллов на поверхности GaAs(100)
Буравлев А.Д.1, Абдрашитов Г.О.1, Цырлин Г.Э.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский Академический университет --- Научно-образовательный центр нанотехнологий РАН Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург
Email: bour@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии были впервые получены массивы нитевидных кристаллов (Ga,Mn)As на подложке GaAs(100) при температуре роста 485oC. Из данных картин дифракции быстрых электронов на отражение установлено, что ННК в этой системе формируются в кубической кристаллографической фазе.