Исследование стабильности кремниевых фотодиодов в вакуумном ультрафиолете
Забродский В.В.1, Белик В.П.1, Аруев П.Н.1, Бер Б.Я.1, Бобашев С.В.1, Петренко М.В.1, Суханов В.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sildet@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.
Проведено испытание кремниевых фотодиодов на стойкость к вакуумному ультрафиолетовому (ВУФ) излучению на длине волны 121.6 nm. Показано, что исследуемые фотодиоды, на основе p-n- и n-p-структур, обнаруживают деградацию чувствительности на уровне десятков процентов при дозах ВУФ-излучения порядка десятков mJ/cm2. Наблюдался эффект обратимой релаксации фототока детекторов на основе n-p-структур.
- Korde R., Cable J.S., Canfield L.R. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1993. V. 40. P. 1655--1659
- Kuschnerus P. et al. // Metrologia. 1998.V. 35. P. 355--362
- Goldberg Yu.A. et al. // Semiconductors. 1999. V. 33. P. 343
- Aruev P.N. et al. // Proceeding of IWRFRI'2000
- Scholze F., Klein R., Muller R. // Metrologia. 2006. V. 43. S6--S10
- Aruev P.N. et al. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. A. 2009. V. 603. P. 58--61
- Zabrodsky V.V. et al. // Proceding of the 9th ISMTII-2009
- Gullikson E.M. et al. // Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 1996.V. 80. P. 313-316
- Flora M.Li., Nixon O., Arokia Nathan // IEEE Trans. Electron Dev. 2004. V. 51. P. 2229
- Sotnikova G.Yu. et al. // Proceeding of SPIE. 2011. V. 8073. P. 80731D
- Gottwald A. et al. // Meas. Sci. Technol. 2010. V. 21. P. 125101
- Sarubbi F. et al. // ECS Transactions. 2006. V. 3. N 2. P. 35--44
- Sarubbi F. et al. // Proc. IEEE 38th ESSDERC. 2008. P. 278--281
- US Patent 7 586 108, September 8, 2009
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.