Формирование индий-обогащенных островковых структур методом in situ наномаскирования
Заварин Е.Е.1, Сахаров А.В.1, Лундин В.В.1, Давыдов Д.В.1, Сизов В.С.1, Брунков П.Н.1, Гончаров В.В.1, Цацульников А.Ф.1
1Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Email: andrew@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.
Предложен и реализован новый метод формирования наноструктур InGaN/GaN, излучающих в длинноволново-зеленом спектральном диапазоне. Метод основан на выращивании тонких слоев InGaN над ямками, сформированными при травлении слоя GaN, локально маскированного AlN, в водородсодержащей атмосфере. PACS: 81.05.Ea, 81.16.Rf, 81.15.Gh, 68.55.ag, 85.60.Bt, 81.65.Cf
- Zukauskas A., Shur M., Gaska R. Introduction to Solid-State Lighting. J. Willey \& Sons, N.Y., 2002
- Шуберт Е.Ф. Светодиоды / Пер. под ред. А.Э. Юновича. М.: Физматлит, 2008 ( Shubert E.F. Light Emitting Diodes. 2 ed. Cambridge University Press, 2006)
- Sato H., Chung R.B., Hirasawa H., Fellows N., Masui H., Wu F., Saito M., Fujito K., Speck J.S., DenBaars S.P., Nakamura S. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 221 110
- Karpov S.Yu., Talalaev R.A., Yakovlev E.V., Makarov Yu.N. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2001. V. 639. G3. 18
- Сахаров А.В., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Синицын М.А., Николаев А.Е., Усов С.О., Сизов В.С., Михайловский Г.А., Черкашин Н.А., Hytch M., Hue F., Яковлев Е.В., Лобанова А.В., Цацульников А.Ф. // ФТП. 2009. Т. 43 (6). С. 841
- Klochikhin A., Reznitsky A., Tenishev L., Permogorov S., Lundin W., Usikov A., Sorokin S., Ivanov S., Schmidt M., Kalt H., Klingshirn C. // Proc. of 9 th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg, Russia, June 18-22 2002. P. 554-557
- Лундин В.В., Заварин Е.Е., Сизов Д.С. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 7. С. 52-56
- Yakovlev E.V., Talalaev R.A., Kondratyev A.V., Segal A.S., Lobanova A.V., Lundin W.V., Zavarin E.E., Sinitsyn M.A., Tsatsulnikov A.F., Nikolaev A.E. // J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. P. 4862
- Сахаров А.В., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Синицын М.А., Цацульников А.Ф. // Тез. докл. 5-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы". 31 января-2 февраля 2007 г. Москва. С. 46
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук