Приведены результаты компьютерного моделирования распределений цинка, которые устанавливаются в процессе его диффузии, сопутствующей легированию в ходе эпитаксиального осаждения фосфида галлия. Внутреннее перераспределение вводимого цинка, обусловленное присутствием структурного макродефекта, в частности винтовой дислокации, трактуется в рамках диссоциативной модели межузельно-узловой диффузии, предполагающей существование ионов цинка в двух состояниях с различной подвижностью, активно взаимодействующих с вакансиями галлия. Результаты анализа решений нелинейной граничной задачи, демонстрирующие существование резко неоднородных распределений концентраций ионов цинка, позволяют объяснить ряд экспериментально наблюдаемых аномалий обратного тока GaP-p-n-переходов. PACS: 85.40.Ry, 81.15.Kk, 66.30.Dn, 61.72.uj, 61.72sh, 61.72.Dd

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.