"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Вольт-амперные характеристики Si/Si1-xGex(0.02<x<0.15) гетеродиодов, изготовленных прямым сращиванием
Грехов И.В.1,2, Белякова Е.И.1,2, Костина Л.С.1,2, Рожков А.В.1,2, Юсупова Ш.А.1,2, Сорокин Л.М.1,2, Аргунова Т.С.1,2, Абросимов Н.В.1,2, Матчанов Н.А.1,2, Je J.H.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany Физико-технический институт АН Республики Узбекистан, Ташкент Pohang University of Science and Technology
2Pohang, 790--784, Korea
Email: konst@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 мая 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.

Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик (ВАХ) Si/Si1-xGex гетеродиодов, сформированных прямым сращиванием пластин кремния n-типа проводимости ориентации (111) с пластинами Si1-xGex той же ориентации p-типа проводимости с содержанием германия от 2 до 15 at.%. Показано, что с ростом концентрации германия NGe в исходных кристаллах Si1-xGex плотность дефектов кристаллической решетки увеличивается, что приводит к уменьшению времени жизни неосновных носителей в базе гетеродиода, увеличению рекомбинационной составляющей прямого тока и дифференциального сопротивления ВАХ. Однако для всех NGe=< 15 at.% в диапазоне рассматриваемых плотноcтей токов (1 mA/cm2/ 200 A/cm2) ВАХ гетеродиодов n-Si/p-Si1-xGex является удовлетворительной, что позволяет сделать вывод о перспективности использования технологии прямого сращивания для формирования Si/Si1-xGex гетероструктур. PACS: 72.15.Eb, 61.72.Lk, 61.72.Ff, 81.05.Hd
  1. Шохнович И. // Электроника. НТБ. 2005. N 5. С. 58--64
  2. Erhen U., Cruhl A. et al. // Electron. Lett. 1994. N 30. P. 525
  3. Hirose F., Souda Y., Nakano K. et al. // IEEE Transactions on Electron Devices. 2001. V. 48. N 10. P. 2417--2420
  4. Аргунова Т.С., Белякова Е.И., Грехов И.В., Забродский А.Г., Костина Л.С., Сорокин Л.М. и др. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 6. С. 700--704
  5. Tong Q.-Y., Gosele U. Semiconductor Wafer Bonding: Science and Technology. 1999. J. Wiley \& Sons, Inc. 297 c
  6. Grekhov I.V., Argunova T.S., Kostina L.S. et al. // Electrochem Soc. 1997. V. 144. N 2. P. 622--627
  7. Грехов И.В., Берман Л.С., Аргунова Т.С., Костина Л.С. и др. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 14. С. 956--961
  8. Аргунова Т.С., Грехов И.В., Костина Л.С. и др. // ФТТ. 1999. Т. 41. В. 11. С. 1953--1962

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.