Лазеры зеленого спектрального диапазона на основе CdSe/ZnSe наноструктур с накачкой электронным пучком с энергией менее 10 keV
Зверев М.М.1, Гамов Н.А.1, Жданова Е.В.1, Перегудов Д.В.1, Студенов В.Б.1, Иванов С.В.1, Седова И.В.1, Сорокин С.В.1, Гронин С.В.1, Копьев П.С.1
1Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Email: mzverev@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.
Исследованы параметры излучения импульсных лазеров с электронно-лучевой накачкой на основе ZnSe-содержащих квантово-размерных структур с тонким (20 nm) внешним ограничивающим слоем ZnMgSSe. При комнатной температуре генерация наблюдалась при энергии электронного пучка свыше 3.7 keV. Минимальное значение пороговой плотности тока пучка, зарегистрированное при энергии пучка 8-9 keV, составило 0.4-0.5 A/cm2, а максимальная импульсная мощность - 2 W при энергии электронов ~5 keV. PACS: 42.70.Hj, 81.07.Bc
- Богданкевич О.В. // Квантовая электроника. 1994. Т. 21. В. 12. C. 1113
- Богданкевич О.В., Меерович Г.А., Олихов И.М., Садчихин А.В. // Радиотехника и электроника. 1999. Т. 44. В. 8. С. 901--919
- Molva E., Accomo R., Labrunie G., Cibert J., Bodin C., Dang L.S., Feuillet G. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 796
- Herve D., Accomo R., Molva E., Vanzetti L., Paggel J.J., Sorba L., Francioci A. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 2144
- Зверев М.М., Иванов С.В., Перегудов Д.В., Седова И.В., Сорокин С.В., Копьев П.С. // Квантовая электроника. 2004. Т. 34. В. 10. С. 909
- Lebedev A., Sorokin S., Toropov A., Shubina T., Il'inskaya N., Nekrutkina O., Ivanov S., Pozina G., Bergman J.P., Monemar B. // Acta Physica Polonica A. 1998. V. 94. P. 421
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук