"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Гальваномагнитные свойства эпитаксиальных пленок 3C-SiC, выращенных на основе подложек гексагонального SiC
Лебедев А.А.1, Абрамов П.Л.1, Агринская Н.В.1, Козуб В.И.1, Кузнецов А.Н.1, Лебедев С.П.1, Оганесян Г.А.1, Сорокин Л.М.1, Черняев А.В.1, Шамшур Д.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Lev.Sorokin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.

Эпитаксиальные пленки 3C-SiC выращены на основе подложек 6H-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Проведено исследование эффекта Холла и магнетосопротивления данных гетероструктур в диапазоне температур 1.4-300 K. При гелиевых температурах обнаружено низкое сопротивление образцов и появление отрицательного магнетосопротивления в слабых полях (~1 T). Анализ полученных результатов показывает, что низкое сопротивление, скорее всего, связано с переходом металл-изолятор в эпитаксиальных пленках 3C-SiC. PACS: 73.50.Jt, 72.20.My, 75.70.Ak
  • Lebedev A.A. // Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21. P. R17--R34
  • Lebedev A.A., Strel'chuk A.M., Savkina N.S., Bogdanova E.V., Tregubova A.S., Kuznetsov A.N., Davydov D.V. // Material Science Forum. 2003. V. 433--466. P. 427--430
  • Лебедев А.А., Зеленин В.В., Абрамов П.Л., Богданова Е.В., Лебедев С.П., Нельсон Д.К., Разбирин Б.С., Щеглов М.П., Трегубова А.С., Suvajarvi M., Yakimova R. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 3. С. 273
  • Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. John Wiley \& Sons. Inc., 2001
  • Suttrop W., Pensl G., Choyke W.J., Steine R., Leibenzeder S. // J. Appl. Phys. 1992. V. 72. P. 3708
  • Карбид кремния / Под ред. Г. Хэниша и Р. Роя. М.: Мир, 1972
  • Kuwabara H., Yamanaka K., Yamada S. // Phys. Stat. Solid. A. 1976. V. 37. P. K157--K161.
  • Dean P.J., Choyke W.J., Patric L. // J. Lumin. 1977. V. 10. P. 299--314
  • Гантмахер В.Ф. Электроны в неупорядоченных средах. М.: Физматлит, 2003
  • Meyer J.S., Atland A., Altshuler B.L. // Phys. Rev. Lett. 2002. V. 89. N 20. P. 206 601
  • Agrinskaya N.V., Kozub V.I., Chernyaev A.V., Shamshur D.V. // Phys. Rev. B. 2005. V. 72. P. 08533
  • Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В., Мохов Е.Н. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 7. С. 874
  • Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В., Мохов Е.Н. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 7. С. 816
  • Chen C.Q., Zeman J., Engelbrecht F., Peppermuler C., Helbig R., Chen Z.H., Martinez G. // J. Appl. Phys. 2000. V. 8. P. 3800.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.