"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Электролюминесценция в изотипных гетероструктурах n-GaSb/n-AlGaAsSb/ n-GaInAsSb, обусловленная ударной ионизацией
Баженов Н.Л.1, Журтанов Б.Е.1, Мынбаев К.Д.1, Астахова А.П.1, Именков А.Н.1, Михайлова М.П.1, Смирнов В.А.1, Стоянов Н.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.

Сообщается об исследовании электролюминесценции в изотипных гетероструктурах n-GaSb/n-AlGaAsSb/n-GaInAsSb, которая характеризуется увеличением квантовой эффективности за счет генерации дополнительных электронно-дырочных пар благодаря процессам ударной ионизации носителей заряда вблизи гетерограницы, обусловленных наличием глубоких колодцев в исследуемой гетероструктуре. PACS: 78.55.Cr, 78.60.Fi, 85.60.Jb
  1. Стоянов Н.Д., Журтанов Б.Е., Астахова А.П., Именков А.Н., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 8. С. 996--1009
  2. Астахова А.П., Журтанов Б.Е., Именков А.Н., Михайлова М.П., Сиповская М.А., Стоянов Н.Д., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. В. 1. С. 23--29
  3. Стоянов Н.Д., Журтанов Б.Е., Именков А.Н., Астахова А.П., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 7. С. 878--882
  4. Михайлова М.П., Жингарев М.З., Корольков В.И. // Письма в ЖТФ. 1980. Т. 6. В. 6. С. 376--378
  5. Зегря Г.Г., Харченко В.А. // ЖЭТФ. 1992. Т. 101. В. 1. С. 327--343

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.