Вышедшие номера
Критерий перехода когерентных нанокластеров Ge на Si от пирамидальной к куполообразной форме
Сафонов К.Л.1, Трушин Ю.В.1
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН
Email: trushin@edu.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.

Предложен физический критерий изменения равновесной формы упругонапряженных нанокластеров Ge, растущих на поверхности подложки кремния в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии. Сделана оценка критического размера пирамидальных кластеров, проведено сравнение с доступными в литературе экспериментальными данными. PACS: 81.07.-b, 81.07.Ta, 81.10.Aj, 81.15.Hi, 82.20.Wt