Критерий перехода когерентных нанокластеров Ge на Si от пирамидальной к куполообразной форме
Сафонов К.Л.1, Трушин Ю.В.1
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН
Email: trushin@edu.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.
Предложен физический критерий изменения равновесной формы упругонапряженных нанокластеров Ge, растущих на поверхности подложки кремния в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии. Сделана оценка критического размера пирамидальных кластеров, проведено сравнение с доступными в литературе экспериментальными данными. PACS: 81.07.-b, 81.07.Ta, 81.10.Aj, 81.15.Hi, 82.20.Wt
- Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алфёров Ж.И., Бимберг Д. // ФТП. 1998. Т. 32. С. 385
- Medeiros-Ribeiro G., Bratkovski A.M., Kamins T.I., Ohlberg D.A.A., Williams R.S. // Science. 1998. V. 279. P. 353
- Rudd R.E., Briggs G.A.D., Sutton A.P., Medeiros-Ribeiro G., Williams R.S. // Phys. Rev. Lett. 2003. V. 90. P. 146 101
- Ross F.M., Tersoff J., Tromp R.M. // Phys. Rev. Lett. 1998. V. 80. P. 984
- Costantini G., Rastelli A., Manzano C. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. P. 5673
- Migas D.B., Cereda S., Montalenti F., Miglio L. // Surf. Sci. 2004. V. 556. P. 121
- Трушин Ю.В. Радиационные процессы в многокомпонентных материалах. СПб.: ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2002. 384 с
- Osipov A.V., Schmitt F., Kukushkin S.A., Hess P. // Appl. Surf. Sci. 2002. V. 188. P. 156
- Ratsch C., Zangwill A. // Surf. Sci. 1993. V. 293. P. 123
- Johnson H.T., Freund L.B. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 6081
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук