"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоэлектретное состояние без внешнего поляризующего поля в пленках Si : Ag
Набиев Г.А.1
1Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан
Email: gulamnabi@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

Приводится технология получения, исследования фотоэлектретного состояния в пленках Si, легированных Ag, в которых фотонапряжение генерируется за счет дембер-эффекта. PACS: 81.05.-t
  1. Ковальский П.Н., Шнейдер А.Д. Фотоэлектретный эффект в полупроводниках. Львов: Выша школа, 1977. 152 с
  2. Адирович Э.И. // ФТП. 1970. Т. 4. В. 4. С. 745--753
  3. Набиев Г.А. // Научно-технический журнал ФерПИ. 2004. N 3. С. 11--15
  4. Адирович Э.И. и др. // Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника. Ташкент: Фан, 1972. С. 143--229
  5. Набиев Г.А. Спектры фотовольтаического эффекта в полупроводниковых пленках / Деп. в ВИНИТИ 14.06.88, N 4677-B88. 22 c

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.