"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Спектральная чувствительность твердого раствора (Si2)1-x(CdS)x
Саидов А.С.1, Усмонов Ш.Н.1, Холиков К.Т.1, Сапаров Д.1
1Физико-технический институт АН РУз, Ташкент
Email: Sh_usmonov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 13 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

Методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема оловянного раствора-расплава выращивались эпитаксиальные слои твердого раствора (Si2)1-x(CdS)x (0=< x=< 0.01) n-типа проводимости на pSi подложках. Исследованы спектральные зависимости фоточувствительности pSi-n(Si2)1-x(CdS)x структуры. Обнаружен пик чувствительности при E~2.35 eV, который, по-видимому, обусловлен уровнем молекул CdS, расположенным на 1.25 eV ниже потолка валентной зоны кремния. PACS: 78.20.-e, 81.05.Hd
  1. Luque A., Marti A. // Phys. Rev. Lett. 1997. V. 78. N 26. P. 5014--5017
  2. Beaucame G., Brown A.S., Keevers M.J., Corkish R., Green M.A. // Prog. Photovolt. Res. Appl. 2002. V. 10. P. 345--353
  3. Саидов М.С. // Гелиотехника. 2002. N 1. С. 3--6
  4. Саидов М.С. // Гелиотехника. 2005. N 3. С. 67--72
  5. Саидов М.С. // Гелиотехника. 2001. N 3. С. 4--10
  6. Saidov A.S., Razzakov A.Sh., Risaeva V.A., Koschanov E.A. // Materials chemistry and physics. 2001. V. 68. P. 1--6
  7. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. С. 328
  8. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Т. II. М.: Металлургиздат, 1962
  9. Саидов А.С., Саидов М.С., Кошчанов Э.А. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев арсенида галлия и твердых растворов на его основе. Ташкент: Фан, 1986. 127 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.