Вышедшие номера
Поляризационная зависимость сдвига Штарка в поглощении в InGaAs/GaAs лазерных структурах с квантовыми точками
Портной Е.Л.1,2, Гаджиев И.М.1,2, Губенко А.Е.1,2, Соболев М.М.1,2, Ковш А.Р.1,2, Бакшаев И.О.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2NL Nanosemiconductor GmbH, Konrad--Adenauer--Allee 11, Dortmund, Germany
Email: igor@intop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 21 января 2007 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

В многослойных лазерных структурах InGaAs/GaAs с самоорганизующимися квантовыми точками исследован эффект Штарка. Проведены измерения смещения края поглощения в зависимости от обратного напряжения в двухсекционном лазерном диоде. Край поглощения сдвигается в длинноволновую область спектра при увеличении напряженности электрического поля. Обнаружена поляризационная зависимость поглощения. В исследуемых структурах интенсивность люминесценции TE-поляризации более чем на порядок больше, чем ТМ, что обусловлено большим усилением ТЕ-моды. PACS: 73.63.Kv, 42.55.Px, 71.70.Ej