Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности фотолюминесценции метаморфных квантовых точек InAs, связанные с кооперативными явлениями в системе квантовые точки-матрица
Васильев А.П.1, Гладышев А.Г.1, Жуков А.Е.1, Крыжановская Н.В.1, Михрин В.С.1, Мусихин Ю.Г.1, Петров В.С.1, Ратников В.В.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Natalia.Shmidt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.
Исследована фотолюминесценция (ФЛ) нескольких серий наноструктур с метаморфными квантовыми точками (КТ) InAs в матрице InxGa1-xAs переменного состава от 14 до 30%, а также с введенными 5-nm прослойками твердых растворов (ПТР) In0.4Ga0.6As или In0.4Al0.6As между КТ и матрицей. Показано, что кооперативные явления в системе КТ-матрица с ростом содержания In в матрице более 20% происходят по разным механизмам в зависимости от того, какая из ПТР введена. Эти явления существенным образом изменяют положение максимума и величину интенсивности ФЛ и играют более важную роль в формировании оптических свойств, чем размер и однородность первоначально введенных точек. PACS: 78.55.-m, 81.07.Ta
- Asryan L.V., Suris R.A. // Semicond. Sci. Technol. 1996. V. 11. P. 554
- Maximov M.V., Ledentsov N.N. // Dekker Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology. New York, 2004. P. 3109
- Raymond S. et al. // Proceeding of 13th International Symposium. St. Petersburg, 2005. P. 14
- Cockayne D.J. et al. // Inst. Phys. Conf. Ser. 2001. N 169. P. 77
- Zhi D. et al. // Inst. Phys. Conf. Ser. 2001. N 169. P. 89
- Ivanov S.V., Gladyshev A.G., Kamanin A.V., Kolmakov A.G., Kryzhanovskaya N.V., Musikhin Yu.G., Baranov E.E., Petrov V.N., Shmidt N.M. // Phys. Stat. Sol. (c). 2005. V. 2. P. 1912
- Kolmakov A.G., Govorkov A.V., Pearton S.J., Shmidt N.M. // Solid-State Electronics. 2003. V. 47. P. 1003
- Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Блохин С.А., Мусихин Ю.Г., Жуков А.Е., Максимов М.В., Захаров Н.Д., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Werner P., Guffart F., Bimberg D. // ФТП. 2004. Т. 38 (7). С. 867. Kryzhanovskaya N.D., Gladyschev A.G., Blokhin S.A., Musikhin Yu.G., Zhukov A.E., Maksimov M.V., Zakharov N.D., Tsatsul'nikov A.F., Ledentsov N.N., Werner P., Guffart F., Bimberg D. // Semiconductors. 2004. V. 38\^(7). P. 833
- Shmidt N.M., Petrov V.N., Ratnikov V.V., Kryhzanovskaya N.V., Gladyshev A.G., Semenova E.S., Zhukov A.E., Ustinov V.M. // Proceedings of the 13th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg, 2005. P. 30
- Гегузин Я.Е. Диффузионная зона. М.: Наука, 1979. С. 343
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
